SiC-wafel

SiC-wafel

Onze siliciumcarbidewafels zijn verkrijgbaar in een breed scala aan maten en specificaties, waardoor onze klanten de beste optie voor hun specifieke behoeften kunnen kiezen. We bieden zowel kale wafers als epitaxiale wafers, en we kunnen onze producten aanpassen aan de vereisten van elk project.
Aanvraag sturen
Praat nu
Beschrijving
Technische Parameters
Productomschrijving

Siliciumcarbide (SiC) wafers en substraten zijn gespecialiseerde materialen die worden gebruikt in de halfgeleidertechnologie, gemaakt van siliciumcarbide, een verbinding die bekend staat om zijn hoge thermische geleidbaarheid, uitstekende mechanische sterkte en grote bandafstand. SiC-wafels en -substraten zijn uitzonderlijk hard en licht van gewicht en bieden een robuuste basis voor het vervaardigen van elektronische apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie, zoals vermogenselektronica en radiofrequentiecomponenten.

De unieke eigenschappen van siliciumcarbidewafels maken ze ideaal voor toepassingen die werking bij hoge temperaturen, zware omstandigheden en verbeterde energie-efficiëntie vereisen.

Vergeleken met conventionele Si-apparaten hebben op SiC gebaseerde voedingsapparaten hogere schakelsnelheden, hogere spanningen, lagere parasitaire weerstanden, kleinere afmetingen en minder koeling vereist vanwege het hoge temperatuurvermogen.

200mm SiC Wafers

Onze siliciumcarbidewafels zijn verkrijgbaar in een breed scala aan maten en specificaties, waardoor onze klanten de beste optie voor hun specifieke behoeften kunnen kiezen. We bieden zowel kale wafers als epitaxiale wafers, en we kunnen onze producten aanpassen aan de vereisten van elk project.

Bij SiBranch streven we ernaar onze klanten het hoogste niveau van service en ondersteuning te bieden. Ons team van experts staat altijd klaar om al uw vragen te beantwoorden en advies te geven over de beste producten en oplossingen voor uw project. SiBranch biedt een breed scala aan producten en diensten om aan de uiteenlopende behoeften van onze klanten te voldoen. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze producten en hoe wij u kunnen helpen uw doelen te bereiken.

 

4H N-TYPE SiC 100 MM, 350μm WAFERSPECIFICATIE

Artikel nummer

W4H100N-4-PO (of CO)-350

Beschrijving

4H SiC-substraat

Polytype

4H

Diameter

(100+0.0-0.5) mm

Dikte

(350±25) μm (Technische kwaliteit ±50μm)

Vervoerdertype

n-type

Doteringsmiddel

Stikstof

Weerstand (RT)

0.012-0.025Ω▪cm (Technische kwaliteit<0.025Ω▪cm)

Waferoriëntatie

(4+0.5) graad

Technische kwaliteit

Productiekwaliteit

Productiekwaliteit

2.1

2.2

2.3

Dichtheid van de micropijp

Kleiner dan of gelijk aan 30 cm²

Kleiner dan of gelijk aan 10 cm²

Kleiner dan of gelijk aan 1 cm²

Microbuis Vrije ruimte

Niet gespecificeerd

Groter dan of gelijk aan 96%

Groter dan of gelijk aan 96%

Oriëntatie plat (OF)

 

Oriëntatie

Parallel {1-100} ±5 graden

Oriëntatie platte lengte

(32,5±2,0) mm

Identificatie plat (IF)

 

Oriëntatie

Si-vlak: 90 graden rechtsom, vanuit oriëntatie vlak ±5 graden

identificatie platte lengte

(18.0+2.0) mm

 

Oppervlak

Optie 1: Si-face standaardpolijstmiddel Epi-ready optisch C-face polijstmiddel

Optie 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face optisch polijstmiddel

Pakket

Verzenddoos voor meerdere wafels (25).

(Enkel wafelpakket op aanvraag)

 

6H N-TYPE SiC, 2"WAFERSPECIFICATIE

Artikel nummer

W6H51N-0-PM-250-Z

Beschrijving

Productiekwaliteit 6H SiC-substraat

Polytype

6H

Diameter

(50,8 ± 38) mm

Dikte

(250±25) uhm

Vervoerdertype

n-type

Doteringsmiddel

Stikstof

Weerstand (RT)

0.06-0.10Ω▪cm

Waferoriëntatie

(0+0.5) graad

Dichtheid van de micropijp

Kleiner dan of gelijk aan 100 cm²

Oriëntatie vlakke oriëntatie

Parallel {1-100} ±5 graden

Oriëntatie platte lengte

(15,88 ± 1,65) mm

Identificatie vlakke oriëntatie

Si-vlak: 90 graden rechtsom. frrow-oriëntatie vlak ±5 graden

identificatie platte lengte

(8+1.65) mm

Oppervlak

Si-face standaard polish Epi-ready

C-vlak gematteerd

Pakket

Verpak een enkel wafelpakket of een verzenddoos voor meerdere wafels

 

Productfoto

SiC GaN Wafer1

Silicon Carbide (SiC) Wafers

 

Siliciumcarbide (SiC) wafeltjes

Siliciumcarbide (SiC)-wafels zijn een soort halfgeleidermateriaal dat wordt gebruikt bij de productie van elektronische en opto-elektronische apparaten die werking op hoge temperatuur, hoge spanning en hoge frequentie vereisen. SiC is een halfgeleidermateriaal met een grote bandafstand, wat betekent dat het een hogere doorslagspanning heeft en bij hogere temperaturen kan werken dan conventionele halfgeleiders zoals silicium.

SiC-wafels worden doorgaans geproduceerd met behulp van de methoden voor fysiek damptransport (PVT) of chemische dampafzetting (CVD). Bij de PVT-methode wordt een entkristal van SiC in een hogetemperatuuroven geplaatst en wordt een bronmateriaal, meestal silicium of koolstof, verwarmd totdat het verdampt. De damp wordt getransporteerd door een draaggas, meestal argon, en afgezet op het kiemkristal, waardoor een SiC-laag met één kristal wordt gevormd. Bij de CVD-methode wordt een SiC-laag op een substraat afgezet door een gasmengsel dat silicium- en koolstofvoorlopers bevat, bij hoge temperaturen te laten reageren.

Zodra het SiC-kristal is gegroeid, wordt het in dunne wafels gesneden en gepolijst tot een hoge mate van vlakheid en gladheid. De resulterende SiC-wafels kunnen vervolgens worden gebruikt als platform voor de groei van extra halfgeleiderlagen, die kunnen worden gedoteerd met onzuiverheden om p-type en n-type gebieden te creëren voor de fabricage van apparaten.

SiC-wafels hebben verschillende voordelen ten opzichte van andere halfgeleidermaterialen zoals silicium. SiC heeft een hogere thermische geleidbaarheid, wat betekent dat het bij hogere temperaturen kan werken zonder last te hebben van thermische storingen. Bovendien heeft SiC een hogere doorslagspanning en kan het op hogere spanningen en frequenties werken dan silicium, waardoor het geschikt is voor toepassingen zoals krachtige elektronica en hoogfrequente apparaten.

 

Dieper graven in de eigenschappen van SiC-wafels

De unieke elektronische bandstructuur van SiC-wafels is de sleutel tot hun uitzonderlijke eigenschappen. Een grote bandafstand creëert een grote hindernis voor elektronen om te overwinnen, wat twee belangrijke voordelen oplevert:

Stabiliteit bij hoge temperaturen:Lage intrinsieke dragerconcentraties zorgen ervoor dat SiC-apparaten kunnen werken bij hogere temperaturen zonder noemenswaardige lekstromen, ideaal voor veeleisende omgevingen.

Elektrisch veld met hoge doorslag:De grote bandafstand draagt ​​ook bij aan een sterk vermogen om hoge spanningen te weerstaan, waardoor apparaten met hoge blokkeerspanningen en lage weerstand in de toestand mogelijk zijn.

Naast elektrische eigenschappen blinken SiC-wafels ook uit in thermische en mechanische aspecten.

Efficiënte warmteafvoer:Dankzij de uitzonderlijke thermische geleidbaarheid kan SiC warmte efficiënt afvoeren, een cruciaal kenmerk voor toepassingen met hoog vermogen.

Duurzaamheid in zware omgevingen:Hoge mechanische sterkte en hardheid maken SiC slijtvast en geschikt voor veeleisende omgevingen.

SiC is er in verschillende vormen, polytypes genoemd, die zich onderscheiden door de stapeling van silicium- en koolstofatomen. Hiervan zijn 4H-SiC en 6H-SiC het meest prominent in de elektronica.

4H-SiC:De voorkeur voor vermogenselektronica vanwege de superieure elektronenmobiliteit en de grotere bandafstand, wat zich vertaalt in hogere efficiëntie en prestaties.

6H-SiC:Vindt toepassingen in apparaten met hoge temperaturen en hoge frequentie vanwege de hogere gatenmobiliteit en de iets smallere bandafstand.

De keuze voor het polytype hangt af van de behoeften van de specifieke toepassing. Factoren zoals gewenste elektrische eigenschappen, bedrijfsomstandigheden en gerichte apparaatprestaties spelen allemaal een rol bij het selecteren van het optimale SiC-wafertype.

 

 

Waarom voor ons kiezen

 

Onze producten zijn uitsluitend afkomstig van de vijf grootste fabrikanten ter wereld en toonaangevende binnenlandse fabrieken. Ondersteund door hooggekwalificeerde nationale en internationale technische teams en strenge kwaliteitscontrolemaatregelen.

Ons doel is om klanten uitgebreide één-op-één ondersteuning te bieden, waardoor soepele communicatiekanalen worden gegarandeerd die professioneel, tijdig en efficiënt zijn. Wij bieden een lage minimale bestelhoeveelheid en garanderen een snelle levering binnen 24 uur.

 

Fabrieksshow

 

Onze enorme voorraad bestaat uit 1000+ producten, waardoor klanten al bestellingen vanaf één stuk kunnen plaatsen. Dankzij onze eigen apparatuur voor het in blokjes snijden en achterslijpen, en de volledige samenwerking in de wereldwijde industriële keten, zijn we in staat om snel te verzenden om de klanttevredenheid en het gemak van één aanspreekpunt te garanderen.

01
02
03

 

Ons certificaat

 

Ons bedrijf is trots op de verschillende certificeringen die we hebben behaald, waaronder ons patentcertificaat, ISO9001-certificaat en het National High-Tech Enterprise-certificaat. Deze certificeringen vertegenwoordigen onze toewijding aan innovatie, kwaliteitsmanagement en toewijding aan uitmuntendheid.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Populaire tags: sic wafer, China sic wafer fabrikanten, leveranciers, fabriek