Productomschrijving
CZ Silicon Wafer is een hoogwaardig siliciumsubstraat dat wordt gebruikt bij de productie van geavanceerde halfgeleiderapparaten. Voor de vervaardiging van deze siliciumwafels wordt gebruik gemaakt van de CZ-methode (Czochralski), waardoor een hoge mate van zuiverheid en uniformiteit wordt gegarandeerd. Dit type siliciumwafel beschikt over superieure elektrische prestaties en een lage defectdichtheid, waardoor het een ideale keuze is voor een breed scala aan halfgeleidertoepassingen.
CZ Silicon Wafer staat bekend om zijn uitstekende vlakheid, oppervlaktekwaliteit en kristallografische oriëntatie. Deze kwaliteiten maken de productie mogelijk van hoogwaardige halfgeleiderapparaten met superieure betrouwbaarheid en efficiëntie. De CZ-methode maakt de productie van wafels met een grotere diameter mogelijk dan andere technieken, zoals de Float Zone-methode, wat kan leiden tot een hogere opbrengst en lagere productiekosten.
Bovendien zijn CZ Silicon Wafers in hoge mate aanpasbaar, met specificaties die kunnen worden aangepast om te voldoen aan de specifieke eisen van verschillende halfgeleidertoepassingen. Dit maakt ze tot een veelzijdige oplossing voor fabrikanten die geavanceerde elektronische apparaten willen produceren met superieure prestaties en betrouwbaarheid.
Over het geheel genomen is CZ Silicon Wafer een hoogwaardig substraat dat zeer geschikt is voor een breed scala aan halfgeleidertoepassingen. De superieure elektrische eigenschappen, de lage defectdichtheid en het hoge zuiverheidsniveau maken het een ideale keuze voor fabrikanten die geavanceerde elektronische apparaten willen produceren.
|
Groei |
CZ, MCZ, FZ |
|
Cijfer |
Prime, Test, Dummy, enz. |
|
Middellijn |
Andere diameters, zoals 10 mm, 12,7 mm, 1,5″, 35 mm, 40 mm, 2,5″ zijn ook mogelijk |
|
Dikte |
50~3000UM |
|
Fins |
Zoals gesneden, gelept, geëtst, SSP, DSP, enz |
|
Oriëntatie |
(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) enz. |
|
Afgesneden |
Tot 4 gr |
|
Type/Doteringsmiddel |
P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, Intrinsiek |
|
Weerstand |
FZ: Tot 20k ohm-cm |
|
CZ/MCZ: Van 0.001 tot 150 ohm-cm |
|
|
Dunne films |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, enz. |
|
* PECVD: Oxide, Nitride, SiC, enz. |
|
|
* Silicium epitaxiale wafers en epitaxiale diensten (SOS, GaN, GOI enz.). |
|
|
Processen |
DSP, ultradun, ultraplat, enz. |
|
Inkrimping, terugslijpen, in blokjes snijden, enz. |
|
|
MEMS |
Productfoto
Waarom voor ons kiezen
Onze producten zijn uitsluitend afkomstig van de vijf grootste fabrikanten ter wereld en toonaangevende binnenlandse fabrieken. Ondersteund door hooggekwalificeerde nationale en internationale technische teams en strenge kwaliteitscontrolemaatregelen.
Ons doel is om klanten uitgebreide één-op-één ondersteuning te bieden, waardoor soepele communicatiekanalen worden gegarandeerd die professioneel, tijdig en efficiënt zijn. Wij bieden een lage minimale bestelhoeveelheid en garanderen een snelle levering binnen 24 uur.
Fabrieksshow
Onze enorme voorraad bestaat uit 1000+ producten, waardoor klanten al bestellingen vanaf één stuk kunnen plaatsen. Dankzij onze eigen apparatuur voor het in blokjes snijden en achterslijpen, en de volledige samenwerking in de wereldwijde industriële keten, zijn we in staat om snel te verzenden om de klanttevredenheid en het gemak van één aanspreekpunt te garanderen.
Ons certificaat
Ons bedrijf is trots op de verschillende certificeringen die we hebben behaald, waaronder ons patentcertificaat, ISO9001-certificaat en het National High-Tech Enterprise-certificaat. Deze certificeringen vertegenwoordigen onze toewijding aan innovatie, kwaliteitsmanagement en toewijding aan uitmuntendheid.
Populaire tags: cz siliciumwafel, China cz siliciumwafelfabrikanten, leveranciers, fabriek
